kabtangan sa produkto
MATANG
PAGHULAGWAY
kategoriya
Mga Produkto sa Discrete Semiconductor
Transistor – FET, MOSFET – Single
tiggama
Mga Teknolohiya sa Infineon
sunod-sunod nga
CoolGaN™
Pakete
Tape ug Reel (TR)
Shear Band (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Status sa Produkto
gihunong
matang sa FET
N channel
teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source Voltage (Vdss)
600V
Current sa 25°C – Padayon nga Drain (Id)
31A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On)
-
On-resistance (max) sa lain-laing Id, Vgs
-
Vgs(th) (maximum) sa lain-laing mga Id
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max)
-10V
Input capacitance (Ciss) sa lain-laing Vds (max)
380pF @ 400V
FET function
-
Pagkawala sa gahum (max)
125W (Tc)
operating temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
matang sa pag-instalar
Matang sa Surface Mount
Supplier Device Packaging
PG-DSO-20-87
Pakete / Enclosure
20-PowerSOIC (0.433″, 11.00mm ang gilapdon)
Panguna nga numero sa produkto
IGOT60
Media ug Downloads
TYPE sa RESOURCE
LINK
Mga detalye
IGOT60R070D1
Giya sa Pagpili sa GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Mubo
Ubang may kalabutan nga mga dokumento
GaN sa Adapters/Charger
GaN sa Server ug Telecom
Kasaligan ug Kwalipikasyon sa CoolGaN
Ngano CoolGaN
GaN sa Wireless Charging
video file
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT half-bridge evaluation platform nga adunay GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – ang bag-ong power paradigm
2500 W full-bridge totem pole PFC evaluation board gamit ang CoolGaN™ 600 V
Mga Detalye sa HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Mubo
IGOT60R070D1
Klasipikasyon sa Kalikopan ug Export
MGA ATRIBUTO
PAGHULAGWAY
Status sa RoHS
Nahiuyon sa detalye sa ROHS3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 ka oras)
REACH status
Non-REACH nga mga produkto
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
